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山大晶体材料国家重点实验室联合上海光机所在ADP晶体缺陷诱导激光损伤机制研究取得突破

来源: 时间:2020年7月30日 点击:287
    领秀激光综合消息:近日,山东大学晶体材料国家重点实验室与中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在《光学快报》联合发表文章,双方研究团队合作的ADP晶体缺陷诱导激光损伤行为机制取得重大突破。

    研究表明,ADP晶体中存在三种类型的激光诱导损伤“前驱体”,按照损伤阈值区分其诱导初始损伤阈值的范围分别为1-5J/cm2(L缺陷)、6-12J/cm2(M缺陷)和>14J/cm2(H缺陷);传统法生长的ADP晶体中仅存在M缺陷和H缺陷,点籽晶快速生长的ADP晶体中存在三种类型的缺陷;激光预处理能够部分消除或改性L缺陷和M缺陷,从而提升晶体的激光诱导损伤阈值。通过光谱测试及在线散射测试等手段发现这三种类型的损伤“前驱体”均为一系列缺陷的集合。此研究为ADP晶体以及其他非线性光学晶体的抗激光损伤特性的认知及研究提供重要思路及参考。

    ADP(磷酸二氢铵,NH4H2PO4)晶体是一种性能优越的非线性光学晶体材料,具有比KDP(磷酸二氢钾,KH2PO4)晶体更大的有效非线性系数和短波长下更高的激光诱导损伤阈值,能够实现室温下的非临界相位匹配四倍频输出,为惯性约束聚变研究提供一种潜在的四倍频输出打靶材料。在短波长和高功率等极端条件应用环境下,ADP晶体的抗激光诱导损伤特性的研究尤为重要。

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